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GaN Semiconductors

GaN Semiconductors

I semiconduttori GaN di EPC sono il cuore di una grande potenza wireless di superficie

EPC 100 EPC2107 e 60 V EPC2108 eGaN circuiti integrati di potenza a mezzo ponte con bootstrap FET integrato eliminano il recupero inverso indotto dal gate driver e la necessità di un morsetto laterale alto. Progettati specificatamente per le applicazioni di trasferimento di potenza wireless risonanti, questi prodotti consentono la rapida progettazione di sistemi di utilizzo finale altamente efficienti, ponendo le basi per l'adozione di massa dei circuiti di alimentazione wireless.

Caratteristiche
  • Più alta frequenza di commutazione
    • Minori perdite di commutazione, minore induttanza parassita e minore potenza di trasmissione
  • Design integrato
    • Maggiore efficienza, maggiore densità di potenza, costi di assemblaggio ridotti
  • Piccola impronta
    • Matrice passivata con montaggio superficiale BGA a bassa induttanza, estremamente piccola, 1,35 mm x 1,35 mm
applicazioni
  • Alimentazione wireless per 5G
  • Dispositivi mobili
  • robot
  • Automazione industriale
  • Attrezzature mediche e automobilistiche

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Immaginecodice articolo del costruttoreDescrizionequantità disponibileVisualizza dettagli
GANFET 3 N-CH 100V 9BGAEPC2107GANFET 3 N-CH 100V 9BGA18975 - ImmediatoVisualizza dettagli
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGAEPC2108GANFET 3 N-CH 60V / 100V 9BGA19365 - ImmediatoVisualizza dettagli

Associated Development Boards

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BOARD DEV FOR EPC2107 100V EGANEPC9063SCHEDA DEV FOR EPC2107 100V EGAN21 - ImmediatoVisualizza dettagli
MULTI-MODE WIRELESS POWER AMPLIFEPC9511AMPLIFICA DI POTENZA WIRELESS MULTI-MODE3 - ImmediatoVisualizza dettagli
EVAL BOARD AMP ZVS CLASS DEPC9510EVAL BOARD AMP ZVS CLASS D6 - ImmediatoVisualizza dettagli
MULTI-MODE WIRELESS POWER DEMONSEPC9121DEMONI DI POTENZA WIRELESS MULTI-MODE12 - ImmediatoVisualizza dettagli
CLASS 2 WIRELESS POWER DEMONSTRAEPC9127DEMONSTRA DI POTENZA WIRELESS DI CLASSE 210 - ImmediatoVisualizza dettagli