2SC5551AE-TD-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2SC5551AE-TD-E
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
Specifiche:	2SC5551AE-TD-E.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	83631 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 83631 pcs

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Specifiche di 2SC5551AE-TD-E

Modello di prodotti	2SC5551AE-TD-E	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	83631 pcs	Scheda dati	2SC5551AE-TD-E.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	30V	Tipo transistor	NPN
Contenitore dispositivo fornitore	PCP	Serie	-
Potenza - Max	1.3W	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-243AA	Altri nomi	2SC5551AE-TD-EOSCT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Di rumore (dB tip @ f)	-
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Guadagno	-
Frequenza - transizione	3.5GHz	Descrizione dettagliata	RF Transistor NPN 30V 300mA 3.5GHz 1.3W Surface Mount PCP
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	90 @ 50mA, 5V	Corrente - collettore (Ic) (max)	300mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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