NDF10N62ZG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NDF10N62ZG
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 620V 10A TO220FP
Specifiche:	NDF10N62ZG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	7013 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7013 pcs

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Specifiche di NDF10N62ZG

Modello di prodotti	NDF10N62ZG	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 620V 10A TO220FP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	7013 pcs	Scheda dati	NDF10N62ZG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220FP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	750 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	36W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	Altri nomi	NDF10N62ZG-ND NDF10N62ZGOS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1425pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	47nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	620V
Descrizione dettagliata	N-Channel 620V 10A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220FP	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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