NDF11N50ZH

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NDF11N50ZH
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP
Specifiche:	NDF11N50ZH.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3250 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3250 pcs

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Specifiche di NDF11N50ZH

Modello di prodotti	NDF11N50ZH	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 12A TO220FP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3250 pcs	Scheda dati	NDF11N50ZH.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220FP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	520 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	39W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	Altri nomi	NDF11N50ZH-ND NDF11N50ZHOS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1645pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	500V
Descrizione dettagliata	N-Channel 500V 12A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220FP	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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