NDFPD1N150CG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NDFPD1N150CG
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220
Specifiche:	NDFPD1N150CG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	52753 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 52753 pcs

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Specifiche di NDFPD1N150CG

Modello di prodotti	NDFPD1N150CG	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 1500V 100MA TO220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	52753 pcs	Scheda dati	NDFPD1N150CG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	150 Ohm @ 50mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 20W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	Altri nomi	NDFPD1N150CGOS
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.2nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	1500V
Descrizione dettagliata	N-Channel 1500V 100mA (Ta) 2W (Ta), 20W (Tc) Through Hole TO-220-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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