NSVF6003SB6T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NSVF6003SB6T1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	RF TRANSISTOR
Specifiche:	NSVF6003SB6T1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	419931 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 419931 pcs

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Specifiche di NSVF6003SB6T1G

Modello di prodotti	NSVF6003SB6T1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	RF TRANSISTOR	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	419931 pcs	Scheda dati	NSVF6003SB6T1G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	12V	Tipo transistor	NPN
Contenitore dispositivo fornitore	6-CPH	Serie	Automotive, AEC-Q101
Potenza - Max	800mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Altri nomi	NSVF6003SB6T1GOSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Di rumore (dB tip @ f)	3dB @ 1GHz
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Guadagno	9dB
Frequenza - transizione	7GHz	Descrizione dettagliata	RF Transistor NPN 12V 150mA 7GHz 800mW Surface Mount 6-CPH
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	100 @ 50mA, 5V	Corrente - collettore (Ic) (max)	150mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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