NTMFD4901NFT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	NTMFD4901NFT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
Specifiche:	NTMFD4901NFT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	71426 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 71426 pcs

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Specifiche di NTMFD4901NFT1G

Modello di prodotti	NTMFD4901NFT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 8DFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	71426 pcs	Scheda dati	NTMFD4901NFT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.2V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	6.5 mOhm @ 10A, 10V
Potenza - Max	1.1W, 1.2W	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	NTMFD4901NFT1GOSCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1150pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual), Schottky	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 17.9A 1.1W, 1.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10.3A, 17.9A

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Post-Vendita
Specifiche

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