SIZ900DT-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SIZ900DT-T1-GE3
Costruttore / Marca:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Specifiche:	SIZ900DT-T1-GE3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	45623 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45623 pcs

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Specifiche di SIZ900DT-T1-GE3

Modello di prodotti	SIZ900DT-T1-GE3	fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	45623 pcs	Scheda dati	SIZ900DT-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.4V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	6-PowerPair™
Serie	TrenchFET®	Rds On (max) a Id, Vgs	7.2 mOhm @ 19.4A, 10V
Potenza - Max	48W, 100W	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	6-PowerPair™	Altri nomi	SIZ900DT-T1-GE3CT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1830pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	24A, 28A	Numero di parte base	SIZ900

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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