FDMS86350ET80

Fairchild/ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMS86350ET80
Costruttore / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Specifiche:	FDMS86350ET80.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	26493 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di FDMS86350ET80

Modello di prodotti	FDMS86350ET80	fabbricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	26493 pcs	Scheda dati	FDMS86350ET80.pdf
Tensione - Prova	8030pF @ 40V	Tensione - Ripartizione	Power56
Vgs (th) (max) a Id	2.4 mOhm @ 25A, 10V	Vgs (Max)	8V, 10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	PowerTrench®
Stato RoHS	Digi-Reel®	Rds On (max) a Id, Vgs	25A (Ta), 198A (Tc)
Polarizzazione	8-PowerTDFN	Altri nomi	FDMS86350ET80DKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	FDMS86350ET80
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	155nC @ 10V	Tipo IGBT	±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.5V @ 250µA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 80V 25A (Ta), 198A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount Power56	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 80A POWER56	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	80V
rapporto di capacità	3.3W (Ta), 187W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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