Modello di prodotti | BSH111,235 | fabbricante | Nexperia |
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Descrizione | MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS |
quantità disponibile | 6649 pcs | Scheda dati | BSH111,235.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 1.3V @ 1mA | Vgs (Max) | ±10V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
Serie | TrenchMOS™ | Rds On (max) a Id, Vgs | 4 Ohm @ 500mA, 4.5V |
Dissipazione di potenza (max) | 830mW (Tc) | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Contenitore / involucro | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Altri nomi | 934056036235 BSH111 /T3 BSH111 /T3-ND |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1nC @ 8V |
Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 55V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 55V 335mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 335mA (Ta) |
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