UPA2379T1P-E1-A

Renesas Electronics America

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	UPA2379T1P-E1-A
Costruttore / Marca:	Renesas Electronics America
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 12V
Specifiche:	UPA2379T1P-E1-A.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	78930 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 78930 pcs

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Specifiche di UPA2379T1P-E1-A

Modello di prodotti	UPA2379T1P-E1-A	fabbricante	Renesas Electronics America
Descrizione	MOSFET 2N-CH 12V	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	78930 pcs	Scheda dati	UPA2379T1P-E1-A.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Contenitore dispositivo fornitore	6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	-
Potenza - Max	1.8W	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	6-XFLGA	Altri nomi	UPA2379T1P-E1-ACT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain	Caratteristica FET	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione drain-source (Vdss)	-	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.8W Surface Mount 6-EFLIP-LGA (2.17x1.47)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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