RN1963FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RN1963FE(TE85L,F)
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Specifiche:	RN1963FE(TE85L,F).pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	245409 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 245409 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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Specifiche di RN1963FE(TE85L,F)

Modello di prodotti	RN1963FE(TE85L,F)	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	245409 pcs	Scheda dati	RN1963FE(TE85L,F).pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	Contenitore dispositivo fornitore	ES6
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	22 kOhms
Resistor - Base (R1)	22 kOhms	Potenza - Max	100mW
imballaggio	Original-Reel®	Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666
Altri nomi	RN1963FE(TE85LF)DKR	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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