TK16C60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TK16C60W,S1VQ
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
Specifiche:	TK16C60W,S1VQ.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	18798 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18798 pcs

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Specifiche di TK16C60W,S1VQ

Modello di prodotti	TK16C60W,S1VQ	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	18798 pcs	Scheda dati	TK16C60W,S1VQ.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.7V @ 790µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I2PAK
Serie	DTMOSIV	Rds On (max) a Id, Vgs	190 mOhm @ 7.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	130W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Altri nomi	TK16C60W,S1VQ(S TK16C60WS1VQ
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1350pF @ 300V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	15.8A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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