TK8R2A06PL,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TK8R2A06PL,S4X
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Specifiche:	TK8R2A06PL,S4X.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	56659 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 56659 pcs

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Specifiche di TK8R2A06PL,S4X

Modello di prodotti	TK8R2A06PL,S4X	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	56659 pcs	Scheda dati	TK8R2A06PL,S4X.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 300µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220SIS
Serie	U-MOSIX-H	Rds On (max) a Id, Vgs	11.4 mOhm @ 8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	36W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	Altri nomi	TK8R2A06PL,S4X(S TK8R2A06PLS4X
temperatura di esercizio	175°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1990pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	28.4nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 50A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	50A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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