Modello di prodotti | TPH1110FNH,L1Q | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Descrizione | MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS |
quantità disponibile | 53358 pcs | Scheda dati | TPH1110FNH,L1Q.pdf |
Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 300µA | Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP Advance (5x5) |
Serie | U-MOSVIII-H | Rds On (max) a Id, Vgs | 112 mOhm @ 5A, 10V |
Dissipazione di potenza (max) | 1.6W (Ta), 57W (Tc) | imballaggio | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN | Altri nomi | TPH1110FNH,L1QCT TPH1110FNH,L1QCT-ND TPH1110FNHL1QCT |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 250V |
Descrizione dettagliata | N-Channel 250V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
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