TPH6R003NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TPH6R003NL,LQ
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Specifiche:	TPH6R003NL,LQ.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	217470 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 217470 pcs

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Specifiche di TPH6R003NL,LQ

Modello di prodotti	TPH6R003NL,LQ	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N CH 30V 38A 8SOP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	217470 pcs	Scheda dati	TPH6R003NL,LQ.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.3V @ 200µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOP Advance (5x5)
Serie	U-MOSVIII-H	Rds On (max) a Id, Vgs	6 mOhm @ 19A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta), 34W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerVDFN	Altri nomi	TPH6R003NL,LQ(S TPH6R003NLLQTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 38A (Tc) 1.6W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	38A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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