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International Rectifier (Infineon Technologies): Il 1 ° aprile 1999, Siemens Semiconductors è diventata Infineon Technologies. Un'azienda dinamica e più flessibile orientata verso il successo nel mondo competitivo e in continua evoluzione della microelettronica. Infineon è un leader globale nella progettazione, produzione e fornitura di un'amp...Dettagli

IHW20N135R5XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Descrizione:IGBT 1350V 40A 288W TO247
IGW20N60H3FKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Descrizione:IGBT 600V 40A 170W TO247-3
IKP08N65F5XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Descrizione:IGBT 650V 18A 70W PG-TO220-3
IRG4PSC71KDPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Descrizione:IGBT 600V 85A 350W SUPER247

STMicroelectronics: - La STMicroelectronics è una società di semiconduttori indipendente globale ed è leader nello sviluppo e nella fornitura di soluzioni di semiconduttori attraverso lo spettro delle applicazioni della microelettronica. Una combinazione ineguagliabile di silicio e competenze di sistema, forza produ...Dettagli

STGB10M65DF2 STMicroelectronics Descrizione:IGBT 650V 10A D2PAK
STGW35NC120HD STMicroelectronics Descrizione:IGBT 1200V 60A 235W TO247
STGWT40HP65FB STMicroelectronics Descrizione:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
STGW60H65DF STMicroelectronics Descrizione:IGBT 650V 120A 360W TO247

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) sta guidando innovazioni a basso consumo energetico, consentendo ai clienti di ridurre il consumo energetico globale. L'azienda offre un portafoglio completo di soluzioni di gestione dell'energia e di segnale, logica, discrete e personalizzate per aiutare i progettist...Dettagli

FGA60N60UFDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrizione:IGBT 600V 120A 298W TO3P
NGTB50N65S1WG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrizione:IGBT TRENCH 650V 140A TO247
FGH40N60SMD-F085 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrizione:IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
FGP20N60UFDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrizione:IGBT 600V 40A 165W TO220

IXYS Corporation: - IXYS Corporation offre un'ampia gamma di semiconduttori ad alta potenza, tra cui MOSFET di potenza a bassa resistenza, IGBT a commutazione ultra rapida, diodi a recupero rapido (FRED), moduli SCR e diodo, ponti raddrizzatori e circuiti integrati di alimentazione. Dettagli

IXGH20N120A3 IXYS Corporation Descrizione:IGBT 1200V 40A 180W TO247
IXYH16N170C IXYS Corporation Descrizione:IGBT 1.7KV 40A TO247
IXGH2N250 IXYS Corporation Descrizione:IGBT 2500V 5.5A 32W TO247
IXBH32N300 IXYS Corporation Descrizione:IGBT 3000V 80A 400W TO247

LAPIS Semiconductor: - ROHM è stata fondata a Kyoto, in Giappone, nel 1958. ROHM progetta e produce semiconduttori, circuiti integrati e altri componenti elettronici. Questi componenti trovano casa nei mercati dinamici e in continua crescita di wireless, computer, automotive e elettronica di consumo. Alcune delle attre...Dettagli

RGTV00TK65DGC11 LAPIS Semiconductor Descrizione:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
RGS00TS65DHRC11 LAPIS Semiconductor Descrizione:ROHM'S IGBT PRODUCTS WILL CONTRI
RGTH50TS65GC11 LAPIS Semiconductor Descrizione:IGBT 650V 50A 174W TO-247N
RGT60TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Descrizione:IGBT 650V 55A 194W TO-247N

Microsemi: - Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC) offre un portafoglio completo di semiconduttori e soluzioni di sistema per il settore aerospaziale e della difesa, comunicazioni, data center e mercati industriali. I prodotti includono circuiti integrati analogici a segnale misto ad alte prestazioni e radiazio...Dettagli

APT35GP120BG Microsemi Descrizione:IGBT 1200V 96A 543W TO247
APT25GT120BRG Microsemi Descrizione:IGBT 1200V 54A 347W TO247
APT50GN120L2DQ2G Microsemi Descrizione:IGBT 1200V 134A 543W TO264
APT50GR120B2 Microsemi Descrizione:IGBT 1200V 117A 694W TO247

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