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ON si aggiunge ai MOSFET SiC

ON Semiconductor ha introdotto due MOSFET SiC rivolti alle applicazioni EV, solare e UPS.

Il grado industriale NTHL080N120SC1 e AEC-Q101 di grado automobilistico NVHL080N120SC1 sono completati da  Diodi SiC e Driver SiC, strumenti di simulazione del dispositivo, modelli SPICE e informazioni sull'applicazione.

I MOSFET SiC a ONU da 1200 volt (V), 80 milliohm (mΩ) hanno una bassa corrente di dispersione, un diodo intrinseco veloce con bassa carica di recupero inversa, che fornisce una forte riduzione della perdita di potenza e supporta un funzionamento a frequenza più elevata e una maggiore densità di potenza e Eon basso e Eoff / fast turn ON e OFF combinati con bassa tensione diretta per ridurre le perdite di potenza totali e quindi i requisiti di raffreddamento.


La bassa capacità del dispositivo supporta la possibilità di passare a frequenze molto alte che riducono i fastidiosi problemi EMI; nel frattempo, un maggiore aumento, la capacità valanghe e la robustezza contro i cortocircuiti migliora la robustezza complessiva, offre maggiore affidabilità e una maggiore aspettativa di vita complessiva.

Un ulteriore vantaggio dei dispositivi MOSFETSiC è una struttura di terminazione che aumenta l'affidabilità e la robustezza e migliora la stabilità operativa.

NVHL080N120SC1 è stato progettato per resistere a correnti di sovracorrente elevate e offre elevata capacità valanghe e robustezza contro i cortocircuiti.

La qualifica AEC-Q101 del MOSFET più altri dispositivi SiC offerti, assicura che possano essere pienamente utilizzati nel crescente numero di applicazioni all'interno del veicolo che emergono come risultato dell'aumento del contenuto elettronico e dell'elettrificazione dei propulsori.

Una temperatura massima di esercizio di 175 ° C migliora l'idoneità per l'uso in progetti automobilistici e altre applicazioni di destinazione in cui l'alta densità e i vincoli di spazio aumentano le temperature ambientali tipiche.