FCH190N65F-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FCH190N65F-F085
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
Specifiche:	FCH190N65F-F085.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	14579 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 14579 pcs

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Specifiche di FCH190N65F-F085

Modello di prodotti	FCH190N65F-F085	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	14579 pcs	Scheda dati	FCH190N65F-F085.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247
Serie	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II	Rds On (max) a Id, Vgs	190 mOhm @ 27A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	208W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	Altri nomi	FCH190N65F_F085 FCH190N65F_F085-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3181pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	82nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20.6A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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