FDMQ8203

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMQ8203
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Specifiche:	FDMQ8203.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	37940 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 37940 pcs

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Specifiche di FDMQ8203

Modello di prodotti	FDMQ8203	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	37940 pcs	Scheda dati	FDMQ8203.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	12-MLP (5x4.5)
Serie	GreenBridge™ PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	110 mOhm @ 3A, 10V
Potenza - Max	2.5W	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	12-WDFN Exposed Pad	Altri nomi	FDMQ8203CT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	210pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 10V
Tipo FET	2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	100V, 80V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V, 80V 3.4A, 2.6A 2.5W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.4A, 2.6A	Numero di parte base	FDMQ8203

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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