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NTR3A052PZT1G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
NTR3A052PZT1G Image
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: NTR3A052PZT1G
Costruttore / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23
Specifiche: NTR3A052PZT1G.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 170391 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 170391 pcs
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
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Specifiche di NTR3A052PZT1G

Modello di prodotti NTR3A052PZT1G fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione MOSFET P-CH 20V 3.6A SOT23 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 170391 pcs Scheda dati NTR3A052PZT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB)
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 47 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max) 860mW (Ta) imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Altri nomi NTR3A052PZT1GOSCT
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1243pF @ 4V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11.9nC @ 4.5V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata P-Channel 20V 3.6A (Ta) 860mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.6A (Ta)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

FEDEX www.FedEx.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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