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SIHU7N60E-GE3

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
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Panoramica del Prodotto

Numero di parte: SIHU7N60E-GE3
Costruttore / Marca: Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 600V 7A TO-251
Schede tecniche: SIHU7N60E-GE3.pdf
Stato di RoHs Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 114636 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 114636 pcs
Prezzo di riferimento (in dollari USA)
3000 pcs
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Specifiche di SIHU7N60E-GE3

Numero di parte SIHU7N60E-GE3 fabbricante Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione MOSFET N-CH 600V 7A TO-251 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 114636 pcs Scheda dati SIHU7N60E-GE3.pdf
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore I-PAK
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 600 mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 78W (Tc) imballaggio Bulk
Contenitore / involucro TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Altri nomi SIHU7N60EGE3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 680pF @ 100V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 600V
Descrizione dettagliata N-Channel 600V 7A (Tc) 78W (Tc) Through Hole I-PAK Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)

Spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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