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IPI12CN10N G

International Rectifier (Infineon Technologies)International Rectifier (Infineon Technologies)
IPI12CN10N G Image
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Panoramica del Prodotto

Numero di parte: IPI12CN10N G
Costruttore / Marca: International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
Schede tecniche: IPI12CN10N G.pdf
Stato di RoHs Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 6209 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 6209 pcs
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Specifiche di IPI12CN10N G

Numero di parte IPI12CN10N G fabbricante International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 6209 pcs Scheda dati IPI12CN10N G.pdf
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 83µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore PG-TO262-3
Serie OptiMOS™ Rds On (max) a Id, Vgs 12.9 mOhm @ 67A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) imballaggio Tube
Contenitore / involucro TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Altri nomi IPI12CN10N G-ND
IPI12CN10NG
SP000208928
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4320pF @ 50V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 100V
Descrizione dettagliata N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 67A (Tc)

Spedizione

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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