RR2L6SDDTE25

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RR2L6SDDTE25
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS
Specifiche:	RR2L6SDDTE25.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	350239 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 350239 pcs

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Specifiche di RR2L6SDDTE25

Modello di prodotti	RR2L6SDDTE25	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	DIODE GEN PURP 600V 2A PMDS	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	350239 pcs	Scheda dati	RR2L6SDDTE25.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.1V @ 2A	Tensione - inversa (Vr) (max)	600V
Contenitore dispositivo fornitore	PMDS	Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie	Automotive, AEC-Q101	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	DO-214AC, SMA	Altri nomi	RR2L6SDDTE25TR
Temperatura di funzionamento - Giunzione	150°C (Max)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo	Standard	Descrizione dettagliata	Diode Standard 600V 2A Surface Mount PMDS
Corrente - Dispersione inversa a Vr	10µA @ 600V	Corrente - raddrizzata media (Io)	2A
Capacità a Vr, F	-

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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