SH8M2TB1

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SH8M2TB1
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8
Specifiche:	SH8M2TB1.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	100238 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di SH8M2TB1

Modello di prodotti	SH8M2TB1	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	100238 pcs	Scheda dati	SH8M2TB1.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	83 mOhm @ 3.5A, 10V
Potenza - Max	2W	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	SH8M2TB1CT
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 10V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	3.5nC @ 5V
Tipo FET	N and P-Channel	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.5A	Numero di parte base	*M2

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