STL20DN10F7

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STL20DN10F7
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56
Specifiche:	STL20DN10F7.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	34209 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 34209 pcs

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Specifiche di STL20DN10F7

Modello di prodotti	STL20DN10F7	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	34209 pcs	Scheda dati	STL20DN10F7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	PowerFlat™ (5x6)
Serie	DeepGATE™, STripFET™ VII	Rds On (max) a Id, Vgs	67 mOhm @ 2.5A, 10V
Potenza - Max	62.5W	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-PowerVDFN	Altri nomi	497-14967-6
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	408pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7.8nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 62.5W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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