TK58E06N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TK58E06N1,S1X
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET N CH 60V 58A TO-220
Specifiche:	TK58E06N1,S1X.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	69856 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 69856 pcs

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Specifiche di TK58E06N1,S1X

Modello di prodotti	TK58E06N1,S1X	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N CH 60V 58A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	69856 pcs	Scheda dati	TK58E06N1,S1X.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 500µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220
Serie	U-MOSVIII-H	Rds On (max) a Id, Vgs	5.4 mOhm @ 29A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	110W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3	Altri nomi	TK58E06N1,S1X(S TK58E06N1S1X
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3400pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	46nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 58A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	58A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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