TK17A80W,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TK17A80W,S4X
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Specifiche:	TK17A80W,S4X.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	26132 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26132 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $1.426

10 pcs: $1.272

50 pcs: $1.145

100 pcs: $1.043

250 pcs: $0.941

500 pcs: $0.845

1000 pcs: $0.712

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Specifiche di TK17A80W,S4X

Modello di prodotti	TK17A80W,S4X	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	26132 pcs	Scheda dati	TK17A80W,S4X.pdf
Tensione - Prova	2050pF @ 300V	Tensione - Ripartizione	TO-220SIS
Vgs (th) (max) a Id	290 mOhm @ 8.5A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	DTMOSIV
Stato RoHS	Tube	Rds On (max) a Id, Vgs	17A (Ta)
Polarizzazione	TO-220-3 Full Pack	Altri nomi	TK17A80W,S4X(S TK17A80WS4X
temperatura di esercizio	150°C	Tipo montaggio	Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	TK17A80W,S4X
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	32nC @ 10V	Tipo IGBT	±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 850µA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 800V 17A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	800V
rapporto di capacità	45W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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