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STMicroelectronics: - La STMicroelectronics è una società di semiconduttori indipendente globale ed è leader nello sviluppo e nella fornitura di soluzioni di semiconduttori attraverso lo spettro delle applicazioni della microelettronica. Una combinazione ineguagliabile di silicio e competenze di sistema, forza produ...Dettagli

STGWA19NC60HD STMicroelectronics Descrizione:IGBT 600V 52A 208W TO247
STGWA60H65DFB STMicroelectronics Descrizione:IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
STGWT80H65FB STMicroelectronics Descrizione:IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
STGWT30V60F STMicroelectronics Descrizione:IGBT 600V 60A 260W TO3PF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor: - ON Semiconductor (Nasdaq: ON) sta guidando innovazioni a basso consumo energetico, consentendo ai clienti di ridurre il consumo energetico globale. L'azienda offre un portafoglio completo di soluzioni di gestione dell'energia e di segnale, logica, discrete e personalizzate per aiutare i progettist...Dettagli

FGAF40N60UFDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrizione:IGBT 600V 40A 100W TO3PF
HGTG7N60A4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrizione:IGBT 600V 34A 125W TO247
HGTD3N60C3S9A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrizione:IGBT 600V 6A 33W TO252AA
FGPF30N30TTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Descrizione:IGBT 300V 44.6W TO220F

International Rectifier (Infineon Technologies): Il 1 ° aprile 1999, Siemens Semiconductors è diventata Infineon Technologies. Un'azienda dinamica e più flessibile orientata verso il successo nel mondo competitivo e in continua evoluzione della microelettronica. Infineon è un leader globale nella progettazione, produzione e fornitura di un'amp...Dettagli

IRG4BC30UPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Descrizione:IGBT 600V 23A 100W TO220AB
IRGP4066D-EPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Descrizione:IGBT 600V 140A 454W TO247AD
IRGR3B60KD2TRRP International Rectifier (Infineon Technologies) Descrizione:IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
IRGS4062DTRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Descrizione:IGBT DISCRETES

Renesas Electronics America: - Renesas Electronics America progetta e produce soluzioni di sistemi a semiconduttori altamente integrati per i mercati automobilistico, mobile e PC / AV. Fondata il 1 ° aprile 2003, come joint venture tra Hitachi, Ltd. e Mitsubishi Electric Corporation e con sede a Tokyo, Giappone, Renesas è una...Dettagli

RJH60A83RDPE-00#J3 Renesas Electronics America Descrizione:IGBT 600V 20A 52W LDPAK
RJH1CV6DPK-00#T0 Renesas Electronics America Descrizione:IGBT 1200V 60A 290W TO-3P
RJH60A01RDPD-A0#J2 Renesas Electronics America Descrizione:IGBT 600V 5A
RJH1BG7RDPK-00#T0 Renesas Electronics America Descrizione:IGBT 1100V 60A 250W TO247

IXYS Corporation: - IXYS Corporation offre un'ampia gamma di semiconduttori ad alta potenza, tra cui MOSFET di potenza a bassa resistenza, IGBT a commutazione ultra rapida, diodi a recupero rapido (FRED), moduli SCR e diodo, ponti raddrizzatori e circuiti integrati di alimentazione. Dettagli

IXGP15N120B IXYS Corporation Descrizione:IGBT 1200V 30A 150W TO220AB
IXBP5N160G IXYS Corporation Descrizione:IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB
IXGX35N120B IXYS Corporation Descrizione:IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
IXYA20N65C3D1 IXYS Corporation Descrizione:IGBT

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: RJH1BG7RDPK-00#T0; Produttori: Renesas Electronics America; Descrizione: IGBT 1100V 60A 250W TO247; In magazzino: 6220 pcs; Scaricare:; RFQ

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