Transistori-IGBTs-singolo
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FGL35N120FTDTU
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:IGBT 1200V 70A 368W TO264
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FGY75N60SMD
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:IGBT 600V 150A 750W POWER-247
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HGTG20N60A4D
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:IGBT 600V 70A 290W TO247
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SGR15N40LTM
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:IGBT 400V 45W DPAK
- STMicroelectronics
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- International Rectifier (Infineon Technologies)
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IRG4PC50SPBF
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:IGBT 600V 70A 200W TO247AC
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IKW25N120T2FKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:IGBT 1200V 50A 349W TO247-3
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IGW20N60H3FKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:IGBT 600V 40A 170W TO247-3
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IKW50N60TAFKSA1
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:IGBT 600V 80A 333W TO247-3
- IXYS Corporation
- - IXYS Corporation offre un'ampia gamma di semiconduttori ad alta potenza, tra cui MOSFET di potenza a bassa resistenza, IGBT a commutazione ultra rapida, diodi a recupero rapido (FRED), moduli SCR e diodo, ponti raddrizzatori e circuiti integrati di alimentazione. Dettagli
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IXGT6N170AHV
IXYS Corporation
Descrizione:IGBT 1700V 6A 75W TO268
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IXYY8N90C3
IXYS Corporation
Descrizione:IGBT 900V 20A 125W C3 TO-252
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IXGH30N120C3H1
IXYS Corporation
Descrizione:IGBT 1200V 48A 250W TO247AD
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IXGK72N60A3H1
IXYS Corporation
Descrizione:IGBT 600V 75A 540W TO264