JANTXV1N649-1

Microsemi Corporation

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	JANTXV1N649-1
Costruttore / Marca:	Microsemi
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Specifiche:	JANTXV1N649-1.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	3897 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3897 pcs

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Specifiche di JANTXV1N649-1

Modello di prodotti	JANTXV1N649-1	fabbricante	Microsemi Corporation
Descrizione	DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	3897 pcs	Scheda dati	JANTXV1N649-1.pdf
Tensione - Picco inversa (max)	Standard	Tensione - diretta (Vf) (max) a If	400mA
Tensione - Ripartizione	DO-35	Serie	Military, MIL-PRF-19500/240
Stato RoHS	Bulk	Tempo di ripristino inverso (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Resistenza a If, F	-	Polarizzazione	DO-204AH, DO-35, Axial
Altri nomi	1086-15996 1086-15996-MIL	Tipo montaggio	Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	JANTXV1N649-1
Descrizione espansione	Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35	Configurazione diodo	50nA @ 600V
Descrizione	DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35	Corrente - Dispersione inversa a Vr	1V @ 400mA
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)	600V	Capacità a Vr, F	-65°C ~ 175°C

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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