1N4446TR

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	1N4446TR
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Specifiche:	1N4446TR.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6215 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6215 pcs

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Specifiche di 1N4446TR

Modello di prodotti	1N4446TR	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6215 pcs	Scheda dati	1N4446TR.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1V @ 20mA	Tensione - inversa (Vr) (max)	100V
Contenitore dispositivo fornitore	DO-35	Velocità	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	4ns
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	DO-204AH, DO-35, Axial
Temperatura di funzionamento - Giunzione	175°C (Max)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo	Standard	Descrizione dettagliata	Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
Corrente - Dispersione inversa a Vr	25nA @ 20V	Corrente - raddrizzata media (Io)	200mA
Capacità a Vr, F	4pF @ 0V, 1MHz	Numero di parte base	1N4446

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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