2N6036G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2N6036G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA
Specifiche:	2N6036G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	150668 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 150668 pcs

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Specifiche di 2N6036G

Modello di prodotti	2N6036G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	150668 pcs	Scheda dati	2N6036G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	80V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	3V @ 40mA, 4A
Tipo transistor	PNP - Darlington	Contenitore dispositivo fornitore	TO-225AA
Serie	-	Potenza - Max	40W
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	TO-225AA, TO-126-3
Altri nomi	2N6036GOS	temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	-
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	750 @ 2A, 3V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100µA	Corrente - collettore (Ic) (max)	4A
Numero di parte base	2N6036

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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