2N7000G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2N7000G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
Specifiche:	2N7000G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3442 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3442 pcs

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Specifiche di 2N7000G

Modello di prodotti	2N7000G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3442 pcs	Scheda dati	2N7000G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-92-3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Tc)	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Altri nomi	2N7000G-ND 2N7000GOS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 200mA (Ta) 350mW (Tc) Through Hole TO-92-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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