2N7002KT1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2N7002KT1G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23
Specifiche:	2N7002KT1G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	370558 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di 2N7002KT1G

Modello di prodotti	2N7002KT1G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	370558 pcs	Scheda dati	2N7002KT1G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	2N7002KT1GOSCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	24.5pF @ 20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 320mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	320mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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