2SD1012G-SPA

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2SD1012G-SPA
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN 15V 0.7A SPA
Specifiche:	2SD1012G-SPA.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4073 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4073 pcs

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Specifiche di 2SD1012G-SPA

Modello di prodotti	2SD1012G-SPA	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN 15V 0.7A SPA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4073 pcs	Scheda dati	2SD1012G-SPA.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	15V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	80mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor	NPN	Contenitore dispositivo fornitore	3-SPA
Serie	-	Potenza - Max	250mW
imballaggio	Bulk	Contenitore / involucro	3-SIP
temperatura di esercizio	125°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz	Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 700mA 250MHz 250mW Through Hole 3-SPA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	280 @ 50mA, 2V	Corrente - Cutoff collettore (max)	1µA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	700mA	Numero di parte base	2SD1012

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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