2SD1207T-AE

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2SD1207T-AE
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN 50V 2A 3MP
Specifiche:	2SD1207T-AE.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5398 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5398 pcs

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Specifiche di 2SD1207T-AE

Modello di prodotti	2SD1207T-AE	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN 50V 2A 3MP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5398 pcs	Scheda dati	2SD1207T-AE.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	400mV @ 50mA, 1A
Tipo transistor	NPN	Contenitore dispositivo fornitore	3-MP
Serie	-	Potenza - Max	1W
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Altri nomi	2SD1207T-AE-ND 2SD1207T-AEOSTR	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	150MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 150MHz 1W Through Hole 3-MP	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)	Corrente - collettore (Ic) (max)	2A
Numero di parte base	2SD1207

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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