2SJ652-1E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2SJ652-1E
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
Specifiche:	2SJ652-1E.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	44974 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 44974 pcs

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Specifiche di 2SJ652-1E

Modello di prodotti	2SJ652-1E	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	44974 pcs	Scheda dati	2SJ652-1E.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220F-3SG
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	38 mOhm @ 14A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 30W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	Altri nomi	2SJ652-1E-ND 2SJ652-1EOS
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4360pF @ 20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	P-Channel 60V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	28A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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