2SK4209

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2SK4209
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
Specifiche:	2SK4209.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6152 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6152 pcs

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Specifiche di 2SK4209

Modello di prodotti	2SK4209	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6152 pcs	Scheda dati	2SK4209.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-3PB
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	1.08 Ohm @ 6A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Ta), 190W (Tc)	imballaggio	Tray
Contenitore / involucro	TO-3P-3, SC-65-3	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	800V	Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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