5HN01M-TL-E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	5HN01M-TL-E
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3
Specifiche:	5HN01M-TL-E.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4097 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4097 pcs

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Specifiche di 5HN01M-TL-E

Modello di prodotti	5HN01M-TL-E	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4097 pcs	Scheda dati	5HN01M-TL-E.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	3-MCP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	7.5 Ohm @ 50mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SC-70, SOT-323	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	6.2pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	50V	Descrizione dettagliata	N-Channel 50V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount 3-MCP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100mA (Ta)

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Post-Vendita
Specifiche

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