ATP602-TL-H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ATP602-TL-H
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK
Specifiche:	ATP602-TL-H.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	7017 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7017 pcs

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Specifiche di ATP602-TL-H

Modello di prodotti	ATP602-TL-H	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	7017 pcs	Scheda dati	ATP602-TL-H.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	ATPAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.7 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	70W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	ATPAK (2 leads+tab)	Altri nomi	869-1089-1 ATP602TLH
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	350pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13.6nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 5A (Ta) 70W (Tc) Surface Mount ATPAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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