BFL4001-1EX

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	BFL4001-1EX
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 900V 6.5A TO220
Specifiche:	BFL4001-1EX.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6854 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6854 pcs

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Specifiche di BFL4001-1EX

Modello di prodotti	BFL4001-1EX	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 900V 6.5A TO220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6854 pcs	Scheda dati	BFL4001-1EX.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.7 Ohm @ 3.25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2W (Ta), 37W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	temperatura di esercizio	150°C (TA)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	850pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	44nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	900V	Descrizione dettagliata	N-Channel 900V 6.5A (Ta) 2W (Ta), 37W (Tc) Through Hole TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6.5A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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