BS107G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	BS107G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Specifiche:	BS107G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4872 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4872 pcs

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Specifiche di BS107G

Modello di prodotti	BS107G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4872 pcs	Scheda dati	BS107G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-92-3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	14 Ohm @ 200mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	350mW (Ta)	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Altri nomi	BS107G-ND BS107GOS
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	200V	Descrizione dettagliata	N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	250mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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