BSS123LT3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	BSS123LT3
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Specifiche:	BSS123LT3.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	6124 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6124 pcs

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Specifiche di BSS123LT3

Modello di prodotti	BSS123LT3	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	6124 pcs	Scheda dati	BSS123LT3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.8V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	6 Ohm @ 100mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	225mW (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 25V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	170mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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