BUB323ZG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	BUB323ZG
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
Specifiche:	BUB323ZG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	39645 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 39645 pcs

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Specifiche di BUB323ZG

Modello di prodotti	BUB323ZG	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	39645 pcs	Scheda dati	BUB323ZG.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	350V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1.7V @ 250mA, 10A
Tipo transistor	NPN - Darlington	Contenitore dispositivo fornitore	D2PAK
Serie	-	Potenza - Max	150W
imballaggio	Tube	Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio	-65°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	2MHz	Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 350V 10A 2MHz 150W Surface Mount D2PAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	500 @ 5A, 4.6V	Corrente - Cutoff collettore (max)	100µA
Corrente - collettore (Ic) (max)	10A	Numero di parte base	BUB323

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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