BUV21G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	BUV21G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN 200V 40A TO-3
Specifiche:	BUV21G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	7597 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7597 pcs

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Specifiche di BUV21G

Modello di prodotti	BUV21G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN 200V 40A TO-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	7597 pcs	Scheda dati	BUV21G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	200V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	1.5V @ 3A, 25A
Tipo transistor	NPN	Contenitore dispositivo fornitore	TO-3
Serie	SWITCHMODE™	Potenza - Max	250W
imballaggio	Tray	Contenitore / involucro	TO-204AE
Altri nomi	BUV21G-ND BUV21GOS-NDOS BUV21GOSOS	temperatura di esercizio	-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	8MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 40A 8MHz 250W Through Hole TO-3	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	20 @ 12A, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)	3mA	Corrente - collettore (Ic) (max)	40A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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