EFC4612R-TR

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	EFC4612R-TR
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	349001 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 349001 pcs

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Specifiche di EFC4612R-TR

Modello di prodotti	EFC4612R-TR	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 24V 6A EFCP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	349001 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	1.3V @ 1mA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	EFCP1313-4CC-037
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	45 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	4-XFBGA	Altri nomi	EFC4612R-TR-ND EFC4612R-TROSTR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	-
Tensione drain-source (Vdss)	24V	Descrizione dettagliata	N-Channel 24V 6A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount EFCP1313-4CC-037
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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