FCH043N60

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FCH043N60
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 75A TO247
Specifiche:	FCH043N60.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	6823 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6823 pcs

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Specifiche di FCH043N60

Modello di prodotti	FCH043N60	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 75A TO247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	6823 pcs	Scheda dati	FCH043N60.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247
Serie	SuperFET® II	Rds On (max) a Id, Vgs	43 mOhm @ 38A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	592W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12225pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	215nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 75A (Tc) 592W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	75A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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