FCP165N65S3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FCP165N65S3
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	SF3 650V 165MOHM E TO220
Specifiche:	FCP165N65S3.pdf
Condizione di scorta	29700 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di FCP165N65S3

Modello di prodotti	FCP165N65S3	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	SF3 650V 165MOHM E TO220	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	29700 pcs	Scheda dati	FCP165N65S3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 1.9mA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220-3
Serie	SuperFET® III	Rds On (max) a Id, Vgs	165 mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	154W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-220-3
Altri nomi	FCP165N65S3-ND FCP165N65S3OS	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	Not Applicable
Stato senza piombo	Lead free	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 400V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	650V	Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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