FDC5612_F095

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDC5612_F095
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT
Specifiche:	FDC5612_F095.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5521 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5521 pcs

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Specifiche di FDC5612_F095

Modello di prodotti	FDC5612_F095	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5521 pcs	Scheda dati	FDC5612_F095.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	55 mOhm @ 4.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4.3A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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